Оборудование для выращивания кристаллов

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральского CZ

На заказ

Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращи...

Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)

На заказ

Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являе...

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллизации

На заказ

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин. Метод ГНК позволяет выращивать монокристаллы лейкосапфира рекордных размеров, недостижим...

Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ

На заказ

Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния “солнечного” и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборуд...

Оборудование для выращивания кристаллов для ВУЗов и НИИ

На заказ

Для обучения студентов и проведения научных исследований требуются компактные установки небольших размеров и мощности. Такие установки легко помещаются в любых лабораториях. Малогабаритные лабораторн...

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)

На заказ

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся т...